ITC57300 动态参数测试系统其主机接受测试

ITC57300动态参数测试系统

本公司7月15日13点49分报道：ITC57300动态参数测试系统的主机接受测试头的产品研发#技术新闻

产品描述

ITC57300动态参数测试系统主机接受测试头，用于对半导体器件如绝缘栅双极晶体管（IGBT）、功率MOSFET、二极管以及其他双极器件进行无损瞬态测量（需要额外的可选偏置电源和定制的人格板）。主机中包含分析和执行电阻和电感开关时间、开关损耗、栅电荷、Trr/Qrr及其他瞬态测试所需的所有测试设备和软件。测试头设计用于特定类型的瞬态测试，与主机上的特殊测试头接收器配合使用。尽管测试头仅设计执行一项特定的测试，但每个测试头中的人格板可以重新配置测试头，以适应特定器件、器件封装和各种器件电路排列。

测试头

→ITC57210-N和P沟道功率MOSFET的R开关时间，MIL-STD-750，方法3472

→ITC57220-功率MOSFET和二管的Trr / Qrr，MIL-STD-750，方法3473

→ITC57230-功率MOSFET的栅电荷，MIL-STD-750，方法3471

→ITC57240-IGBT的电感性开关时间，MIL-STD 750，方法3477

→ITC57250-短路（Isc）耐受时间，MIL-STD 750，方法3479

→ITC57260-功率MOSFET的栅电阻（Rg），输入电容（Ciss），输出电容（Coss）和反向电容（Crss），JEDEC标准JESD24-11

性能

→测试电压：高达1200 Vdc，200 A（短路电流可达1000A）

→时间测量：最小1纳秒

→排水电流限制监测

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