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金属薄膜方阻测试仪

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公司成立于2021年,是一家注册在苏州、具备技术的非接触式半导体检测分析设备制造商。公司集研发、设计、制造、销售于一体,主要攻克国外垄断技术,替代进口产品,使半导体材料测试设备国产化。

主要产品:非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪、方阻测试仪、硅片电阻率测试仪、涡流法高低电阻率分析仪、晶锭电阻率分析仪、涡流法电阻率探头和PN探头测试仪、迁移率(霍尔)测试仪、少子寿命测试仪,晶圆、硅片厚度测试仪、表面光电压仪JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化镓、衬底和外延厂商提供测试和解决方案

凭借*的技术和丰富的产品设计经验申请各项知识产权20余项,已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商,产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可,并取得良好的市场口碑。





晶圆电阻率测试仪,硅片电阻率测试仪,涡流法低电阻率分析仪,晶锭电阻率分析仪,迁移率测试仪,少子寿命测试仪

金属薄膜方阻,方块电阻又称膜电阻,是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值,该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻的大小与样品尺寸无关,其单位为Siements/sq,后增加欧姆/sq表征方式,该单位直接翻译为方块电阻或者面电阻,用于膜层测量又称为膜层电阻。蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铜箔膜等薄膜状导电材料,衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。什么是方阻呢?方阻就是方块电阻,指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻,如图一所示,即B边到C边的电阻值。方块电阻又称膜电阻,是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值,该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻的大小与样品尺寸无关,其单位为Siements/sq,后增加欧姆/sq表征方式,该单位直接翻译为方块电阻或者面电阻,用于膜层测量又称为膜层电阻。

产品描述:

金属薄膜方阻测试仪主要利用结光电压技术非接触测试具有P/N或N/P结构的样品的方阻(发射极薄层方阻)。

特点:

非接触,非损伤测试,测试速度快,重复性佳,可直接测试产品片。

金属薄膜方阻测试仪技术参数:

探头量程10-500Ω/sq
探头性能动态重复性静态重复性示值误差
测试条件:采样率50SPS(20ms),20个点/每次
10-50Ω/sq<2%<0.5%≤±3%
50-200Ω/sq<1%<0.2%≤±3%
200-500Ω/sq<0.6%<0.15%≤±3%
外形尺寸探头:60mm×30mm×83mm(L×W×H)
控制盒:173×130×55mm
信号采集采样率:**500SPS
数据接口:RS232 RS485 CAN TCP/IP
传输协议:ModbusRtu/ModbusTcp、用户自定义SOCKET协议等

JPV测试数据

实验数据—相关性

金属薄膜方阻测试仪

实验数据—重复性和准确性


样片1

样片2

样片3

样片4


四探针

SemiLab

九域

四探针

SemiLab

九域

四探针

SemiLab

九域

四探针

SemiLab

九域

1

98.5

99.51

98.11

106.1

105.77

105.65

131.2

131.82

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146.6

148.52

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2

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3

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99.68

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106.8

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105.76

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10

98.6

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97.92

106.2

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Ave

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99.03

97.98

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Rsd

0.43%

0.48%

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0.55%

0.39%

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0.63%

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%


0.61%

-0.46%


-0.20%

-0.25%


0.25%

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0.82%

-0.15%

说明:

1、四探针重复性较差,探针头容易出问题导致测试偏差很大

2、Semilab重复性和九域重复性偏差不大

3、准确度偏差都保证在一定的范围之内

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